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Croissance et propriétés structurales de couches minces épitaxiales de Pb(ZrxTi1-x)O3 et d'hétéro-structures Pb(ZrxTi1-x)O3-oxydes métalliques

Published inLe vide: science, technique et applications, no. 283, p. 48-60
Publication date1997
Abstract

Nous rapportons la croissance de structures épitaxiales composées de perovskites ferroélectriques du type Pb(Zr, Ti)O₃ (PZT) et de différents oxydes supraconducteurs ou apparentés aux supraconducteurs à haute température critique. Des couches épitaxiales de PZT ont été obtenues par pulvérisation cathodique hors-axe sur des substrats de SrTiO₃ de même que des hétéro-structures SrRuO₃-PZT et DyBa₂Cu₃O₇-PZT. Les analyses des structures, par rayons-x, AFM et TEM, révèlent des qualités structurales excellentes et un état de surface remarquable pour le PZT, avec une rugosité moyenne de 2 Å pour des surfaces de 1 μm x 1 μm et pour des films de 0.1 μm d'épaisseur déposés sur SrTiO₃. Nous présentons également les résultats sur la croissance de ces oxydes sur silicium, obtenue grâce à l'utilisation d'une couche tampon de zircone stabilisée à l'yttrium. Les propriétés ferroélectriques mesurées de manière standard donnent un champ coercitif de 70-100 kV/cm et une polarisation rémanente de 10-20 μC/cm².

Keywords
  • 77.84.Dy
  • Niobates PZT
  • Titanates PZT
  • Tantalates PZT
  • Céramiques PZT
  • Composants diélectrlques
  • Composants ferroélectriques
  • Composants piézoélectriques
Research group
Citation (ISO format)
TYBELL, Per Thomas Martin et al. Croissance et propriétés structurales de couches minces épitaxiales de Pb(Zr<sub>x</sub>Ti<sub>1-x</sub>)O<sub>3</sub> et d’hétéro-structures Pb(Zr<sub>x</sub>Ti<sub>1-x</sub>)O<sub>3</sub>-oxydes métalliques. In: Le vide: science, technique et applications, 1997, n° 283, p. 48–60.
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Identifiers
  • PID : unige:112836
ISSN of the journal1266-0167
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Technical informations

Creation01/10/2019 11:17:00 AM
First validation01/10/2019 11:17:00 AM
Update time03/15/2023 3:22:11 PM
Status update03/15/2023 3:22:10 PM
Last indexation01/17/2024 4:40:13 AM
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