Les nouvelles générations de capteurs photovoltaïques en couches minces (capteurs au silicium amorphe, et autres technologies CIS, CdTe, etc), apparaissent progressivement sur le marché. Certes, ces capteurs présentent des performances (en termes d'efficacité) inférieures aux capteurs classiques, constitués de tranches de silicium mono- ou poly-cristallin. Ils nécessitent donc de plus grandes surfaces de captage pour la même puissance installée. Cependant, leurs techniques de fabrication présentent un fort potentiel pour une baisse significative des coûts du PV. Or, l'emploi de ces capteurs, et donc leur développement industriel à grande échelle, reste encore relativement limité, notamment à cause de l'incertitude des utilisateurs pour ces nouvelles technologies. L'un des freins à ce développement est l'absence de procédure fiable de simulation pour ces capteurs, et donc la difficulté d'en évaluer les performances par rapport à une installation PV équipée de capteurs "classiques". Il n'existe actuellement pas de consensus, dans la communauté scientifique du PV, sur un modèle physique représentant le comportement exact de ces capteurs. Pour tenter d'apporter une réponse à cette problématique, ce projet poursuit les objectifs suivants: • Mettre au point une procédure de modélisation de ces capteurs, qui permette de calculer leurs performances dans toutes les conditions de fonctionnement (irradiance, température, contenu spectral). • Cette mise au point sera basée sur une campagne de mesures très spécifiques, sur un échantillon représentatif de modules coμμerciaux. • Insérer cette procédure dans le logiciel PVsyst, outil largement utilisé qui permet déjà la simulation détaillée d'un système PV équipé de capteurs cristallins. • Identifier les paramètres nécessaires à la détermination du modèle, et demander aux fabricants de préciser ces paramètres dans leurs feuilles de spécifications.