High-temperature ferroelectric domain stability in epitaxial PbZr0.2Ti0.8O3 thin films
Contributeurs/tricesParuch, Patrycja; Triscone, Jean-Marc
Publié dansApplied physics letters, vol. 88, no. 16, 162907
Date de publication2006
Structure d'affiliation
Groupe de recherche
Citation (format ISO)
PARUCH, Patrycja, TRISCONE, Jean-Marc. High-temperature ferroelectric domain stability in epitaxial PbZr<sub>0.2</sub>Ti<sub>0.8</sub>O<sub>3</sub> thin films. In: Applied physics letters, 2006, vol. 88, n° 16, p. 162907. doi: 10.1063/1.2196482
Fichiers principaux (1)
Article (Published version)
Identifiants
- PID : unige:31050
- DOI : 10.1063/1.2196482
ISSN du journal0003-6951