Dans ce travail, nous nous sommes intéressé à l'auto assemblage de nanolignes de bismuth sur la surface du silicium et des structures dérivées de ces nanolignes. Nous avons découvert que l'hydrogénation permet d'enlever complètement le bismuth de la surface tout en conservant la reconstruction unidimensionnelle des atomes de silicium supportant ces nanolignes. Cette structure, appelée bande de Haiku (Haiku stripe), est composée uniquement de silicium recouverte d'une monocouche d'hydrogène. Elle est incorporée aux terrasses de la surface du Si(001) et est stable à l'air. Ces nanolignes ont une largeur fixe de 4 dimères de Si pour une longueur pouvant dépasser 4 μm. Nous avons caractérisé structurellement et électroniquement les bandes de Haiku par des mesures de microscopie à effet tunnel validées ensuite par des simulations théoriques. La présence d'un état unidimensionnel confiné au centre de la structure des bandes de Haiku a été démontrée. La réunion de toutes ces caractéristiques structurelles et électroniques uniques fait des bandes de Haiku un système des plus attractifs pour la réalisation d'un système modèle pour l'étude de la physique à basse dimension.